标准编号：SJ 20011-1992，标准状态：现行。 本标准规定了CS1型硅沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。
| 英文名称： | Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes |
| 中标分类： | 综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理 |
| 发布部门： | 中国电子工业总公司 |
| 发布日期： | 1992-02-01 |
| 实施日期： | 1992-05-01 |
| 提出单位： | 中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草人： | 王长福、吴志龙、张宗国、刘美英 |
| 页数： | 11页 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1992-04-01 |
| 标准前页： |
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
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