标准编号：YS/T 23-1992，标准状态：现行。 本标 准 规 定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法
本标 准 适 用于在,tloo>和(110)晶向的硅单晶衬底仁生长的硅外延层厚度的测缝
外延 层 中 应存在着发育完整的堆垛层错，其大小可用干涉相衬显微镜r:接观察(非破坏性的)，或经化学腐蚀后用金相显微镜观察(破坏性的)。测量范围为2^75 um.
| 中标分类： | 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： | 中国有色金属工业总公司 |
| 发布日期： | 1992-03-09 |
| 实施日期： | 1993-01-01 |
| 提出单位： | 中国有色金属工业总公司标准计量研究 |
| 起草单位： | 上海市有色金属总公司半导体材料i |
| 起草人： | 吴耀芬、姚保纲、周康权 |
| 页数： | 3页 |
| 出版日期： | 1993-01-01 |
| 标准前页： |
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