标准编号：GB/T 1557-2006，标准状态：现行。 本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。
本标准适用于室外温电阻率大于0.1Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm中间的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×1016at·cm-3到硅中间隙氧的最大固熔度。
| 英文名称： | The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption |
| 替代情况： | 替代GB/T 14143-1993;GB/T 1557-1989 |
| 中标分类： | 冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： | 冶金>>金属材料试验>>77.040.30金属材料化学分析 |
| 采标情况： | ASTM F1188-2000 MOD |
| 发布部门： | 中华人民共和国质量监督检验检疫总局和国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2006-07-18 |
| 实施日期： | 2006-11-01 |
| 提出单位： | 中国有色金属工业协会 |
| 归口单位： | 全国有色金属标准化技术委员会 |
| 主管部门： | 中国有色金属工业协会 |
| 起草单位： | 峨眉半导体材料厂 |
| 起草人： | 梁红、覃锐兵、王炎 |
| 计划单号： | 20060512-T-610 |
| 页数： | 7页 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2006-11-01 |
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