标准编号：GB/T 4060-2007，标准状态：现行。 本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基硼的试验。
| 英文名称： | Polycrystalline silicon—Examination method—Vacuum zone-melting on boron |
| 替代情况： | 替代GB/T 4060-1983 |
| 中标分类： | 冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： | 冶金>>金属材料试验>>77.040.01金属材料试验综合 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2007-12-18 |
| 实施日期： | 2008-02-01 |
| 首发日期： | 1983-12-20 |
| 提出单位： | 中国有色金属工业协会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 主管部门： | 中国有色金属工业协会 |
| 起草单位： | 峨眉半导体材料厂 |
| 起草人： | 罗莉萍、梁洪、覃锐兵、王炎、王向东 |
| 计划单号： | 20031797-T-610 |
| 页数： | 8页 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2008-02-01 |
本标准与GB/T4060-1983相比,主要变动如下:
---检测杂质浓度范围扩大为0.002×10-9~100×10-9;
---增加了规范性引用文件、术语、允许差、计算;
---将原标准中的第5章检验条件修订为干扰因素;
---将原标准中的取样位置修订为距多晶硅棒表面不低于5mm,距多晶硅棒底部不低于50mm;
---将原标准中的试样尺寸范围修订为直径15mm~20mm,长度为180mm。
本标准自实施之日起,同时代替GB/T4060-1983。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨眉半导体材料厂。
本标准主要起草人:罗莉萍、梁洪、覃锐兵、王炎、王向东。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T4060-1983。
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