SJ/T 11818.1-2022 半导体紫外发射二极管第1部分：测试方法

上一篇: <a href="/bzbk/052023/bzbk134261.html" title="SJ/T 11818.2-2022 半导体紫外发射二极管 第2部分：芯片规范">SJ/T 11818.2-2022 半导体紫外发射二极管 第2部分：芯片规范
下一篇: <a href="/bzbk/052023/bzbk134263.html" title="SJ/T 11817-2022 半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范">SJ/T 11817-2022 半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范

2023-05-06 发表:

本文件规定了对半导体紫外发射二极管辐射度参数的一般要求，包括测试条件、仪器设备、测试步骤。
本部分适用于峰值波长 200nm～400nm 的器件，峰值波长400nm～420nm 的器件可参照本部分执行。