标准编号：GB/T 1558-2009，标准状态：现行。 本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。
本标准适用于电阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及电阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率大于0.1Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。
由于碳也可能存在于间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。
本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。
| 英文名称： | Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption |
| 替代情况： | 替代GB/T 1558-1997 |
| 中标分类： | 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程>>29.045半导体材料 |
| 采标情况： | MOD SEMI MF 1391-0704 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 1979-05-26 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、峨嵋半导体材料厂 |
| 起草人： | 何秀坤、李静、段曙光、梁洪 |
| 计划单号： | 20065634-T-469 |
| 页数： | 12页 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
本标准修改采用SEMIMF1391?0704《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》。
本标准与SEMIMF1391?0704的主要差异如下:
---本标准在结构上主要依照我国国标编制格式,与SEMIMF1391?0704有所不同;
---本标准未引用偏差、关键词两章内容。
本标准代替GB/T1558-1997《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》。
本标准与原标准相比主要有以下变化:
---对测量的碳原子含量有效范围进行了修改,室温下从硅中代位碳原子含量5×1015at·cm-3(0.1ppma)到碳原子的最大溶解度,77K 时检测下限为5×1014at·cm-3(0.01ppma);
---补充了术语、干扰因素报告三章;
---在操作步骤中增加了仪器检查内容。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准负责起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:何秀坤、李静、段曙光、梁洪。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T1558-1979、GB/T1558-1997。
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T14264 半导体材料术语
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