标准编号：GB/T 1555-2009，标准状态：现行。 本标准规定了半导体单晶晶向X 射线衍射定向和光图定向的方法。
本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。
| 英文名称： | Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal |
| 替代情况： | 替代GB/T 1555-1997 |
| 中标分类： | 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 1979-05-26 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 峨嵋半导体材料厂 |
| 起草人： | 杨旭、何兰英 |
| 计划单号： | 20065620-T-469 |
| 页数： | 12页 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
本标准代替GB/T1555-1997《半导体单晶晶向测定方法》。
本标准与GB/T1555-1997相比,主要有如下变化:
---增加了术语章;
---增加了干扰因素章;
---将原标准定向推荐腐蚀工艺中硅的腐蚀时间5min改为硅的腐蚀时间3min~5min。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:杨旭、何兰英。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB1555-1979、GB1556-1979、GB5254-1985、GB5255-1985、GB8759-1988;
---GB/T1555-1997。
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T2481.1 固结磨具用磨料 粒度组成的检测和标记 第1部分:粗磨粒F4~F220
GB/T2481.2 固结磨具用磨料 粒度组成的检测和标记 第2部分:微粉F230~F1200
GB/T14264 半导体材料术语
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