标准编号：GB 11297.6-1989，标准状态：现行。 在晶体中，由于缺陷处的势能较高，在缺陷处的腐蚀速率较大，在适当的腐蚀剂中，当缺陷处的腐蚀速率远高于完整晶面的腐蚀速率时，在缺陷处就会形成位错蚀坑和其他斑痕，在金相显微镜下可以观测多种缺陷。
| 英文名称： | Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal |
| 中标分类： | 电子元器件与信息技术>>电子设备专用材料、零件、结构件>>L90电子技术专用材料 |
| ICS分类： | 29.040.30 |
| UDC分类： | 621.868.274;621.193.4 |
| 发布部门： | 中华人民共和国机械电子工业部 |
| 发布日期： | 1988-10-09 |
| 实施日期： | 1990-01-01 |
| 首发日期： | 1989-03-31 |
| 复审日期： | 2004-10-14 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 起草单位： | 机械电子工业部第十一研究所 |
| 起草人： | 李文华 |
| 页数： | 3页 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 标准前页： |
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