标准编号：GB/T 14142-1993，标准状态：现行。 本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm。测量范围为0~10000cm-2。
| 英文名称： | Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques |
| 中标分类： | 冶金>>金属理化性能试验方法>>H26金属无损检验方法 |
| ICS分类： | 29.040.30 |
| UDC分类： | 669.782 |
| 采标情况： | NEQ ASTM F80:1985 |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1993-02-06 |
| 实施日期： | 1993-10-01 |
| 首发日期： | 1993-02-06 |
| 复审日期： | 2004-10-14 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 起草单位： | 峨眉半导体材料研究所 |
| 页数： | 7页 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1993-10-01 |
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