标准编号：SJ 20307-1993，标准状态：现行。 本规范规定了FJ646型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。
| 英文名称： | Detail specification for Type FH646 NPN silicon power Darlington transistor |
| 中标分类： | 石油>>石油综合>>E01技术管理 |
| 发布部门： | 中华人民共和国电子工业部 |
| 发布日期： | 1993-05-11 |
| 实施日期： | 1993-07-01 |
| 归口单位： | 机械电子工业部 |
| 起草单位： | 机械电子工业部电子标准化研究所 |
| 起草人： | 蔡仁明、张滨 |
| 页数： | 8页 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1993-06-01 |
| 标准前页： |
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
GB 4571-1984双极型晶体管测试方法
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