本文件规定了高纯锑的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于以工业锑为原料,经氯化、精馏、氢气还原、真空蒸馏、区域熔炼或直拉提纯生产工艺制备的高纯锑。 注: 高纯锑主要用于制备Ⅲ?Ⅴ族化合物半导体材料、高纯合金、热电致冷元件,以及用作硅、锗单晶的掺杂剂。 |
| 英文名称: | High purity antimonium | 替代情况: | 替代GB/T 10117-2009 | 中标分类: | 冶金>>有色金属及其合金产品>>H62重金属及其合金 | ICS分类: | 冶金>>有色金属产品>>77.150.99其他有色金属产品 | 发布部门: | 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 | 发布日期: | 2021-12-31 | 实施日期: | 2022-07-01 | 提出单位: | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) | 归口单位: | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) | 起草单位: | 峨眉山市峨半高纯材料有限公司、峨嵋半导体材料研究所、广东先导稀材股份有限公司、有研国晶辉新材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、江苏秦烯新材料有限公司 | 起草人: | 张程、朱君、黎亚文、雷聪、曾洪、肖伟微、李强、张胜、乐卫华、黄文文、柴晨、普世坤、何建军 | 页数: | 12页 | 出版社: | 中国标准出版社 | 出版日期: | 2021-12-01 | |
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