GB/T 24581-2022 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

本标准描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中III、V族杂质含量的方法。 本标准适用于硅单晶中的III、V族杂质铝（Al）、锑（Sb）、砷（As）、硼（B）、镓（Ga)、铟（In）和 磷（P）含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计）为1.0×1010 cm-3～4.1×1014 cm-3。

英文名称：  Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method 替代情况：  替代GB/T 24581-2009 中标分类：  冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法  ICS分类：  冶金>>77.040金属材料试验 发布部门：  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布日期：  2022-03-09 实施日期：  2022-10-01 提出单位：  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) 归口单位：  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) 起草单位：  乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司等 起草人：  梁洪、赵晓斌、万涛、薛心禄、魏东亮、王彬、邱艳梅、杨素心、李素青、李朋飞、赵培芝、王永涛、魏强、楚东旭、周延江、刘文明、刘红、何建军、皮坤林 页数：  12页 出版社：  中国标准出版社

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