本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法,适用于硅-硅共熔键合、硅-玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式,以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。 |
| 英文名称: | Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement | 中标分类: | 电子元器件与信息技术>>微电路>>L55微电路综合 | ICS分类: | 电子学>>半导体器件>>31.080.99其他半导体器件 | 采标情况: | IEC 62047-9:2011 | 发布部门: | 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 | 发布日期: | 2022-10-12 | 实施日期: | 2022-10-12 | 提出单位: | 全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336) | 归口单位: | 全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336) | 起草单位: | 中国电子科技集团公司第十三研究所、河北美泰电子科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、华东光电集成器件研究所、杭州左蓝微电子技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 起草人: | 李倩、王伟强、顾枫、李根梓、翟晓飞、何凯旋、田松杰、刘建生、崔波、武斌、汪蔚、高峰、王冲 | 页数: | 24页 | 出版社: | 中国标准出版社 | |
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