GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。 本标准适用于检测<111>或<100>晶向的p型或n型抛光片或外延片,电阻率大于0.001Ω·cm。

英文名称：	Practice for shallow etch pit detection on silicon
中标分类：	冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：	电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期：	2011-01-10
实施日期：	2011-10-01
归口单位：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
主管部门：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：	洛阳单晶硅有限责任公司
起草人：	田素霞、张静雯、王文卫、周涛
页数：	8页
出版社：	中国标准出版社
书号：	155066·1-42668
出版日期：	2011-10-01

前言

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。 本标准起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司。 本标准主要起草人:田素霞、张静雯、王文卫、周涛。

引用标准

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T14264 半导体材料术语

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