标准编号：YS/T 839-2012 ，标准状态：即将实施。 本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。
本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜，满足一定条件时,方可采用本方法。
| 标准状态： | 即将实施 |
| 发布部门： | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 发布日期： | 2012-11-07 |
| 实施日期： | 2013-03-01 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2013-03-01 |
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